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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6330pF@20V
连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8177}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@25V
连续漏极电流：31A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D2N06CLTWG
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分类：Mosfet场效应管
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1770}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
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连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMYS2D2N06CLTWG
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输入电容：4850pF@25V
连续漏极电流：31A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMYS2D2N06CLTWG
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ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
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连续漏极电流：31A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
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栅极电荷：69nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
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栅极电荷：69nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2000}
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规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6330pF@20V
连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D2N06CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
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连续漏极电流：31A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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生产批次：{"19+"：2000}
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规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
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功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6330pF@20V
连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：1770}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：2V@180µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
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输入电容：6330pF@20V
连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
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类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D2N06CLTWG
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D2N06CLTWG
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功率：3.9W€134W
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栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
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栅极电荷：75nC@10V
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类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：69nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
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栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4850pF@25V
连续漏极电流：31A€185A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：3.5V@180μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.855nF@25V
连续漏极电流：252A€43A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.15mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS1D2N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€134W
阈值电压：2V@180µA
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6330pF@20V
连续漏极电流：44A€258A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
