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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
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漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：23400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
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功率：3.1W
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输入电容：1275pF@50V
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
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功率：3.1W
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：3.1W
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
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漏源电压：12V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：23400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
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功率：3.1W
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输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：210000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
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连续漏极电流：33A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
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连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
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连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
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栅极电荷：21nC@10V
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输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：210000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102NUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
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连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：FDB86102LZ
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栅极电荷：21nC@10V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：33A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
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连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：2.65mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
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漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86102LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@50V
连续漏极电流：8.3A€30A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EFC2K102ANUZTDG
工作温度：150℃
功率：3.1W
阈值电压：1.3V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：33A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.75mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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