品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS015N10MCLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.5V@77μA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.338nF@50V
连续漏极电流:54A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9pF@50V
导通电阻:9.7mΩ@10V,14A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4538}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:4mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4538}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:4mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.2V
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:4mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.2V
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:4mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4538}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:79W
阈值电压:1.2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:100A
类型:MOSFET
导通电阻:4mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: