采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：6nC@10V
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
输入电容：327pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@25V
导通电阻：22mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：327pF@25V
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C680NLWFTAG
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.82A€20A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：6nC@10V
功率：3W€20W
阈值电压：2.2V@250µA
导通电阻：26.5mΩ@10A，10V
输入电容：327pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
