品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
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规格型号(MPN):FQP6N80C
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功率:158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
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规格型号(MPN):FQP6N80C
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功率:158W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
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功率:158W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):FQP6N80C
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功率:158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):FQP6N80C
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功率:158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:158W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):FQP6N80C
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功率:158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):FQP6N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
输入电容:1310pF@25V
功率:158W
包装方式:管件
栅极电荷:30nC@10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:5.5A
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工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
输入电容:1310pF@25V
功率:158W
包装方式:管件
栅极电荷:30nC@10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:5.5A
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阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
输入电容:1310pF@25V
功率:158W
包装方式:管件
栅极电荷:30nC@10V
漏源电压:800V
连续漏极电流:5.5A
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功率:158W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
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阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
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功率:158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
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功率:158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~150℃
功率:158W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
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规格型号(MPN):FQP6N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1310pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
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功率:158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V
漏源电压:800V
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