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    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8560L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8560L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8560L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11130pF@30V

    连续漏极电流:22A€93A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:3.2mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86244 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86244 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86244

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@75V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:128mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订4000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8560L 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8560L 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8560L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11130pF@30V

    连续漏极电流:22A€93A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:3.2mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@75V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:236mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FW274-TL-E 起订434个装
    onsemi Mosfet场效应管 FW274-TL-E 起订434个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":22000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FW274-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:37mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订906个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订906个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":759}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@75V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:236mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@75V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:236mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8560L 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8560L 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3158,"22+":1403}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8560L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11130pF@30V

    连续漏极电流:22A€93A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:3.2mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86246 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86246

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:215pF@75V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:236mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8560L 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD8560L 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3158,"22+":1403}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD8560L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11130pF@30V

    连续漏极电流:22A€93A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:3.2mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD85100 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD85100 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1394,"23+":2798,"MI+":2811}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD85100

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@50V

    连续漏极电流:10.4A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:9.9mΩ@10.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT4N20LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35Ω@425mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD86100 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMD86100 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMD86100

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2060pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:10.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86244 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86244 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86244

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@75V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:128mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT4N20LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:5.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35Ω@425mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FW274-TL-E 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FW274-TL-E 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":22000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FW274-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:37mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT4N20LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35Ω@425mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT4N20LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35Ω@425mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT4N20LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35Ω@425mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT4N20LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35Ω@425mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86113LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86113LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@50V

    连续漏极电流:3.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@10V,3.3A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDT86102LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDT86102LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.49nF@50V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7.5pF@50V

    导通电阻:22mΩ@10V,6.6A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQT4N20LTF 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQT4N20LTF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:850mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.35Ω@425mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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