采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF220N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@2.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4560pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@11.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
功率：44W
连续漏极电流：49A
ECCN：EAR99
输入电容：1300pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF220N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@2.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4560pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@11.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF220N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4.5V@2.3mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4560pF@100V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@11.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
输入电容：1030pF@25V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：9A
功率：44W
栅极电荷：35nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
功率：44W
连续漏极电流：49A
输入电容：1300pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
功率：44W
连续漏极电流：49A
ECCN：EAR99
输入电容：1300pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF9N50CF
工作温度：-55℃~150℃
功率：44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
