采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3652，"22+"：15869，"23+"：9000，"24+"：15000，"MI+"：5797}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3652，"22+"：15869，"23+"：9000，"24+"：15000，"MI+"：5797}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3652，"22+"：15869，"23+"：9000，"24+"：15000，"MI+"：5797}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3652，"22+"：15869，"23+"：9000，"24+"：15000，"MI+"：5797}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDM6296
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2005pF@15V
连续漏极电流：11.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8240L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@20V
连续漏极电流：23A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.6mΩ@23A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：726}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD5838NLR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@20V
连续漏极电流：7.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：726}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD5838NLR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@20V
连续漏极电流：7.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
