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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C434NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：163A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：163A
类型：N沟道
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连续漏极电流：163A
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ECCN：EAR99
栅极电荷：80.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：163A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD5C434NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80.6nC@10V
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连续漏极电流：163A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD5C434NT4G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：163A
功率：117W
漏源电压：40V
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
类型：N沟道
输入电容：5400pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：80.6nC@10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD5C434NT4G
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：163A
功率：117W
漏源电压：40V
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
类型：N沟道
输入电容：5400pF@25V
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：80.6nC@10V
阈值电压：4V@250µA
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功率：117W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80.6nC@10V
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输入电容：5400pF@25V
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行业应用：工业,汽车
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生产批次：{"23+"：2500}
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ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：163A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C434NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：80.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：163A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C434NT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：117W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.4nF@25V
连续漏极电流：163A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.1mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
