采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6557}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
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类型：1个N沟道
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
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栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
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栅极电荷：91nC@10V
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输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
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漏源电压：60V
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栅极电荷：64nC@10V
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输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
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输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
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连续漏极电流：23A€157A
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
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输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
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漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
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连续漏极电流：36A€235A
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漏源电压：60V
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栅极电荷：91nC@10V
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连续漏极电流：36A€235A
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漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：91nC@10V
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连续漏极电流：36A€235A
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漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：64nC@10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS6H801NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：64nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
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栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
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连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
