采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP850N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：136W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：1085}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP6413ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：15+
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"MI+"：460}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS2D5N06C
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V
栅极电荷：45.4nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：169A
类型：MOSFET
导通电阻：2.65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS2D5N06C
工作温度：-55℃~+175℃
功率：136W
阈值电压：4V
栅极电荷：45.4nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：169A
类型：MOSFET
导通电阻：2.65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：15+
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
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输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：15+
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANG
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP850N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：136W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP850N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：136W
阈值电压：4.5V@600µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1315pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG160N120SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
ECCN：EAR99
栅极电荷：33.8nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@800V
连续漏极电流：19.5A
类型：N沟道
导通电阻：224mΩ@12A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
