采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：798}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：260，"23+"：2588}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：798}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：260，"23+"：2588}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：260，"23+"：2588}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：798}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT095N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：4V@2.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2833pF@400V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@15A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCB20N60FTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.37nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：95pF@25V
导通电阻：150mΩ@10V，10A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：260，"23+"：2588}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：208W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@100V
连续漏极电流：20.2A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT199N60
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：74nC@10V
阈值电压：3.5V@250µA
功率：208W
连续漏极电流：20.2A
输入电容：2950pF@100V
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：260，"23+"：2588}
规格型号(MPN)：FCMT199N60
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：74nC@10V
阈值电压：3.5V@250µA
功率：208W
连续漏极电流：20.2A
输入电容：2950pF@100V
导通电阻：199mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
