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工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

阈值电压：4.5V@590μA

栅极电荷：46nC@10V

输入电容：1.94nF@400V

连续漏极电流：24A

类型：1个N沟道

导通电阻：125mΩ@12A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCP125N65S3

工作温度：-55℃~150℃

功率：181W

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栅极电荷：46nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：1940pF@400V

连续漏极电流：24A

类型：N沟道

导通电阻：125mΩ@12A，10V

漏源电压：650V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FCMT125N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

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ECCN：EAR99

栅极电荷：49nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：650V

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包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCMT125N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

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栅极电荷：49nC

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类型：MOSFET

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包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCMT125N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

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类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB125N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

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栅极电荷：46nC

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类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FCHD125N65S3R0-F155

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功率：181W

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类型：MOSFET

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漏源电压：650V

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销售单位：个

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB125N65S3

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功率：181W

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类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB125N65S3

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栅极电荷：46nC

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类型：MOSFET

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销售单位：个

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销售单位：个

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FCH125N65S3R0-F155

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销售单位：个

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FCH125N65S3R0-F155

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FCH125N65S3R0-F155

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类型：N沟道

导通电阻：125mΩ@12A，10V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FCH125N65S3R0-F155

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功率：181W

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栅极电荷：46nC@10V

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类型：N沟道

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FCMT125N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：49nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：650V

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FCHD125N65S3R0-F155

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

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类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FCMT125N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

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栅极电荷：49nC

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连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：FCH125N65S3R0-F155

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类型：N沟道

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销售单位：个

规格型号(MPN)：NVB125N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

阈值电压：4.5V@590μA

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输入电容：1.94nF@400V

连续漏极电流：24A

类型：1个N沟道

导通电阻：125mΩ@12A，10V

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCHD125N65S3R0-F155

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

阈值电压：4.5V

栅极电荷：46nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"19+"：4709}

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCHD125N65S3R0-F155

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

阈值电压：4.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：46nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：NVB125N65S3

漏源电压：650V

功率：181W

工作温度：-55℃~+150℃

阈值电压：4.5V@590μA

类型：1个N沟道

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连续漏极电流：24A

导通电阻：125mΩ@12A，10V

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包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB125N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

阈值电压：4.5V

栅极电荷：46nC

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连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

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包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB125N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

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栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：650V

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包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB125N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

阈值电压：4.5V

栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FCB125N65S3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：181W

阈值电压：4.5V

栅极电荷：46nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：24A

类型：MOSFET

导通电阻：125mΩ

漏源电压：650V

包装清单：商品主体 * 1