品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€20.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
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功率:1.04W€20.8W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
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类型:N沟道
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输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
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导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
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输入电容:115pF@20V
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漏源电压:25V
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栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
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类型:N沟道
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漏源电压:25V
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阈值电压:2V@250µA
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栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
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漏源电压:25V
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
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漏源电压:25V
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输入电容:115pF@20V
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阈值电压:2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
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阈值电压:2V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
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阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
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漏源电压:25V
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输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
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功率:1.04W€20.8W
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输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
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包装方式:卷带(TR)
导通电阻:95mΩ@5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:25V
输入电容:115pF@20V
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
连续漏极电流:2.5A
功率:1.04W€20.8W
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栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
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功率:1.04W€20.8W
阈值电压:2V@250µA
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栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
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功率:1.04W€20.8W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€20.8W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@5A,10V
漏源电压:25V
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
连续漏极电流:2.5A
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导通电阻:95mΩ@5A,10V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD14N03RT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.04W€20.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:1.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:115pF@20V
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类型:N沟道
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