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    品牌: ON SEMI
    功率: 111W
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    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):34psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订510个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订48个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):34psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):34psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订5个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):34psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订50个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):34psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订30个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):34psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订120个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订5000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):34psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订50个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):34psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):34psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订300个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):34psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):34psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订30个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    栅极电荷:34nC@20V

    连续漏极电流:17.3A

    输入电容:665pF@800V

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    ECCN:EAR99

    功率:111W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订120个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    栅极电荷:34nC@20V

    连续漏极电流:17.3A

    输入电容:665pF@800V

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    ECCN:EAR99

    功率:111W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订130个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订130个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订120个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):34psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订250个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订600个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):34psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订450个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订450个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订900个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L160N120SC1 起订900个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L160N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:111W

    栅极电荷:34nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:665pF@800V

    连续漏极电流:17.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L160N120SC1 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):34psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L160N120SC1

    栅极电荷:34nC@20V

    连续漏极电流:17.3A

    输入电容:665pF@800V

    导通电阻:224mΩ@12A,20V

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    功率:111W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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