品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5600,"21+":439}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5600,"21+":439}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
阈值电压:4.5V@250µA
功率:3.1W€41W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
输入电容:815pF@40V
栅极电荷:15nC@10V
连续漏极电流:6A€14A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:1个N沟道
反向传输电容:35pF@40V
导通电阻:37mΩ@10V,6A
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5600,"21+":439}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5600,"21+":439}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€41W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:815pF@40V
连续漏极电流:6A€14A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3502
阈值电压:4.5V@250µA
功率:3.1W€41W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@6A,10V
输入电容:815pF@40V
栅极电荷:15nC@10V
连续漏极电流:6A€14A
包装清单:商品主体 * 1
库存: