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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：44600，"07+"：75，"08+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：3855，"05+"：168260，"06+"：527497，"08+"：7445，"09+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：20，"06+"：2175，"9999"：140，"MI+"：2206}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：8591}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RG
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RG
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：865，"09+"：129592，"10+"：9225，"11+"：2100}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
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输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
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输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：3148}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：32500，"MI+"：2798}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：8591}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RG
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：865，"09+"：129592，"10+"：9225，"11+"：2100}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：865，"09+"：129592，"10+"：9225，"11+"：2100}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：32500，"MI+"：2798}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：44600，"07+"：75，"08+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：3855，"05+"：168260，"06+"：527497，"08+"：7445，"09+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03RT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
