品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD770N15A
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@75V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@12A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD770N15A
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:765pF@75V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@12A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD770N15A
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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行业应用:工业,汽车
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行业应用:工业,汽车
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行业应用:工业,汽车
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功率:56.8W
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导通电阻:77mΩ@12A,10V
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功率:56.8W
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类型:N沟道
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功率:56.8W
连续漏极电流:18A
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类型:N沟道
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阈值电压:4V@250µA
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工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDD770N15A
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDD770N15A
工作温度:-55℃~150℃
功率:56.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@12A,10V
漏源电压:150V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD770N15A
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类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@12A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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