品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB44N10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€146W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:43.5A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@21.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB44N10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€146W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:43.5A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@21.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
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规格型号(MPN):FQB44N10TM
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功率:3.75W€146W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:43.5A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@21.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FQB44N10TM
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功率:3.75W€146W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:43.5A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@21.75A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:43.5A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@21.75A,10V
漏源电压:100V
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阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
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输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:43.5A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@21.75A,10V
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连续漏极电流:43.5A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@21.75A,10V
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