品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8647L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W€43W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:14A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,13A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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行业应用:工业,汽车
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ECCN:EAR99
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阈值电压:3V@250μA
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输入电容:1.64nF@20V
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漏源电压:40V
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栅极电荷:28nC@10V
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输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:14A€42A
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漏源电压:40V
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栅极电荷:28nC@10V
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输入电容:1.64nF@20V
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导通电阻:9mΩ@10V,13A
漏源电压:40V
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输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:14A€42A
类型:1个N沟道
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漏源电压:40V
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功率:3.1W€43W
阈值电压:3V@250μA
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栅极电荷:28nC@10V
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输入电容:1.64nF@20V
连续漏极电流:14A€42A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@10V,13A
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连续漏极电流:14A€42A
类型:1个N沟道
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