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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2600，"10+"：22000，"MI+"：1060}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：8325}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2600，"10+"：22000，"MI+"：1060}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：2600，"10+"：22000，"MI+"：1060}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4810NHT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@12V
连续漏极电流：9A€54A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：8325}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：8475}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：590，"08+"：3075}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4810NH-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1225pF@12V
连续漏极电流：9A€54A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：8475}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4810NH-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1225pF@12V
连续漏极电流：9A€54A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4810NH-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1225pF@12V
连续漏极电流：9A€54A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"06+"：590，"08+"：3075}
规格型号(MPN)：NTD4810NH-1G
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：管件
功率：1.28W€50W
连续漏极电流：9A€54A
导通电阻：10mΩ@30A，10V
ECCN：EAR99
输入电容：1225pF@12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：16.5nC@4.5V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：10.4A€65A
输入电容：1308pF@12V
功率：1.28W€50W
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4810NHT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@12V
连续漏极电流：9A€54A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4810NHT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@12V
连续漏极电流：9A€54A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：590，"08+"：3075}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4810NH-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1225pF@12V
连续漏极电流：9A€54A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4810NHT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@12V
连续漏极电流：9A€54A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
