品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9421}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4502NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@15V
连续漏极电流:2.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":3000,"04+":352515}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4502NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@15V
连续漏极电流:2.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9421}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4502NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@15V
连续漏极电流:2.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":663,"11+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD5904NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@16V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":9421}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4502NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@15V
连续漏极电流:2.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4502NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@15V
连续漏极电流:2.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4502NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@15V
连续漏极电流:2.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4502NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@15V
连续漏极电流:2.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
功率:640mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:400pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4502NT1G
功率:640mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:85mΩ@2.9A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.2A
类型:2N沟道(双)
阈值电压:3V@250µA
输入电容:140pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":9421}
规格型号(MPN):NTHD4502NT1G
功率:640mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:140pF@15V
导通电阻:85mΩ@2.9A,10V
连续漏极电流:2.2A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4502NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@15V
连续漏极电流:2.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@2.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":663,"11+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD5904NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@16V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@3.3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: