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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：1035pF@50V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
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导通电阻：24mΩ@8A，10V
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栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：1035pF@50V
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导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
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栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
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导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：1035pF@50V
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导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：1035pF@50V
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导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
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栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：1035pF@50V
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漏源电压：100V
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1035pF@50V
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漏源电压：100V
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输入电容：1035pF@50V
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漏源电压：100V
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ECCN：EAR99
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输入电容：1035pF@50V
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"21+"：6500}
规格型号(MPN)：FDD86102
包装方式：卷带（TR）
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工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：1035pF@50V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：24mΩ@8A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
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包装方式：卷带（TR）
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工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：1035pF@50V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：24mΩ@8A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
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包装方式：卷带（TR）
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工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：1035pF@50V
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FDD86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FDD86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
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功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
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功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
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导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：1035pF@50V
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输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
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ECCN：EAR99
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输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
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