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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C05NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：11.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C05NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€33W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：11.9A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：NTMFS4C05NT1G
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生产批次：{"22+"：103500}
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规格型号(MPN)：NTMFS4C05NT1G
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输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：11.9A€78A
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类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€33W
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连续漏极电流：11.9A€78A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：770mW€33W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：11.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
连续漏极电流：11.9A€78A
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€33W
输入电容：1972pF@15V
类型：N沟道
栅极电荷：14nC@4.5V
阈值电压：2.2V@250µA
连续漏极电流：11.9A
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
ECCN：EAR99
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生产批次：{"22+"：103500}
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW€33W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
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连续漏极电流：11.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
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连续漏极电流：11.9A
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：11.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
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