采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4040}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：4040}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
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漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：4040}
包装规格(MPQ)：70psc
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
输入电容：670pF@25V
类型：1个N沟道
功率：2.5W€49W
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
栅极电荷：19nC@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：70psc
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
输入电容：670pF@25V
类型：1个N沟道
功率：2.5W€49W
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
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连续漏极电流：2.8A
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
类型：1个N沟道
功率：2.5W€49W
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
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连续漏极电流：2.8A
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
类型：1个N沟道
功率：2.5W€49W
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连续漏极电流：2.8A
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
类型：1个N沟道
功率：2.5W€49W
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
栅极电荷：19nC@10V
连续漏极电流：2.8A
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：600V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
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漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD5N60CTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU5N60CTU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€49W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：2.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，1.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
