品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP26N40
工作温度:-55℃~150℃
功率:265W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3185pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
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规格型号(MPN):FDP26N40
工作温度:-55℃~150℃
功率:265W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3185pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
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栅极电荷:60nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@13A,10V
包装方式:管件
输入电容:3185pF@25V
功率:265W
连续漏极电流:26A
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:265W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3185pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
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功率:265W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3185pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@13A,10V
漏源电压:400V
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