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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS004N10G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€340W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：178nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12100pF@50V
连续漏极电流：21A€203A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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栅极电荷：178nC@10V
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输入电容：12100pF@50V
连续漏极电流：21A€203A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
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阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：178nC@10V
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输入电容：12100pF@50V
连续漏极电流：21A€203A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@100A，10V
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阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：21A€203A
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