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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS6D1N08HT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@125µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@6V
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输入电容：2085pF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS6D1N08HT1G
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阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：2.085nF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€104W
阈值电压：4V@125µA
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栅极电荷：10nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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阈值电压：4V@120μA
栅极电荷：32nC@10V
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类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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输入电容：2085pF@40V
连续漏极电流：17A€89A
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导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€104W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2085pF@40V
连续漏极电流：17A€89A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS6D1N08HT1G
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：10nC@6V
类型：N沟道
漏源电压：80V
阈值电压：4V@125µA
连续漏极电流：17A€89A
工作温度：-55℃~175℃
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