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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4915}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD6N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：1250，"05+"：49800，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500，"22+"：325}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD6N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500，"22+"：325}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：1250，"05+"：49800，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD6N04R2G
功率：1.29W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@32V
连续漏极电流：4.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：34mΩ@5.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD6N04R2G
功率：1.29W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@32V
连续漏极电流：4.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：34mΩ@5.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：4915}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD6N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500，"22+"：325}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD6N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.29W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@24V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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