采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：19A€82A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：19A€82A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：19A€82A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：19A€82A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：19A€82A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：19A€82A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：4V@70µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：19A€82A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NT4G
导通电阻：4.2mΩ@40A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：1900pF@25V
ECCN：EAR99
阈值电压：4V@70µA
连续漏极电流：19A€82A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
