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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C478NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
阈值电压：2.2V@20µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：10.5A€29A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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功率：3.1W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：9.8A€27A
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导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：10.5A€29A
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连续漏极电流：10.5A€29A
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导通电阻：14.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFD5C478NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
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输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：10.5A€29A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：2N沟道（双）
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3.5V@20µA
输入电容：325pF@25V
功率：3.1W€23W
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：9.8A€27A
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功率：3.1W€23W
输入电容：420pF@25V
漏源电压：40V
连续漏极电流：10.5A€29A
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连续漏极电流：10.5A€29A
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阈值电压：2.2V@20µA
导通电阻：14.5mΩ@7.5A，10V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
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导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
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输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.8A€27A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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