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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5C632NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€115W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTD5C632NLT4G
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功率：4W€115W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD5C632NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€115W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：78nC@10V
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输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：29A€155A
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漏源电压：60V
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栅极电荷：78nC@10V
功率：4W€115W
连续漏极电流：29A€155A
输入电容：5700pF@25V
ECCN：EAR99
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：78nC@10V
功率：4W€115W
连续漏极电流：29A€155A
输入电容：5700pF@25V
ECCN：EAR99
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工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：2.1V@250µA
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栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5700pF@25V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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类型：N沟道
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