品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1600,"16+":1180}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ635-TL-E
功率:1W€30W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.2nF@20V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):2SJ635-TL-E
功率:1W€30W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.2nF@20V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
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阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.2nF@20V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
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栅极电荷:45nC@10V
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导通电阻:60mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
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阈值电压:2.6V@1mA
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输入电容:2.2nF@20V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
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漏源电压:60V
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