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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2700，"MI+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2700，"MI+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：FCH35N60
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阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
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包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：FCH35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
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输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
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功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
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功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCA35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：181nC@10V
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输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
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规格型号(MPN)：FCA35N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
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生产批次：{"22+"：2700，"MI+"：900}
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工作温度：-55℃~150℃
功率：312.5W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：181nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6640pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@17.5A，10V
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