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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
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导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：10.5A€54A
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导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
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导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
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栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：1338pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
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连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13380pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13380pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13380pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：3V@77µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：3V@77µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：3V@77µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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