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    品牌: ON SEMI
    功率: 2.4W€150W
    当前匹配商品:10+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP4D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@310µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5065pF@50V

    连续漏极电流:128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":800}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP4D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@310µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5065pF@50V

    连续漏极电流:128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP4D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@310µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5065pF@50V

    连续漏极电流:128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP4D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@310µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5065pF@50V

    连续漏极电流:128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB60N06T4G

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FDP4D5N10C

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@310µA

    输入电容:5065pF@50V

    类型:N沟道

    栅极电荷:68nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    连续漏极电流:128A

    漏源电压:100V

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"16+":1000}

    规格型号(MPN):NVB60N06T4G

    包装方式:卷带(TR)

    功率:2.4W€150W

    栅极电荷:81nC@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:3220pF@25V

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    连续漏极电流:60A

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB60N06T4G

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB60N06T4G

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订253个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订253个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB60N06T4G

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB60N06T4G

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":800}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP4D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@310µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5065pF@50V

    连续漏极电流:128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订253个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订253个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB60N06T4G

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订115个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订115个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":800}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP4D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@310µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5065pF@50V

    连续漏极电流:128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB60N06T4G

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":800}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP4D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@310µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5065pF@50V

    连续漏极电流:128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP4D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@310µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5065pF@50V

    连续漏极电流:128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP4D5N10C 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP4D5N10C

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@310µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5065pF@50V

    连续漏极电流:128A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@100A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB60N06T4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB60N06T4G

    功率:2.4W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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