品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86324
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":72000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P-F106
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7860pF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":72000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC510P-F106
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7860pF@10V
连续漏极电流:12A€18A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5625,"22+":2889,"23+":3177}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@50V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1000,"23+":24000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC6679AZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3970pF@15V
连续漏极电流:11.5A€20A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8678S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2075pF@15V
连续漏极电流:15A€18A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":392,"24+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4830pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4830pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4830pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC6679AZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3970pF@15V
连续漏极电流:11.5A€20A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8676
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@15V
连续漏极电流:16A€18A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@14.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5625,"22+":2889,"23+":3177}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@50V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@50V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1330pF@50V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102LZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1290pF@50V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4325pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86324
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:7A€20A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: