采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86152
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3370pF@50V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86152
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3370pF@50V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86152
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3370pF@50V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS003N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS003N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS003N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS003N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：8556，"21+"：4806，"22+"：2037，"23+"：2240，"MI+"：2835}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS003N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86152
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3370pF@50V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS003N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
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栅极电荷：73nC@10V
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输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS003N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86152
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3370pF@50V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS003N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS003N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS003N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
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连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
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栅极电荷：73nC@10V
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连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS003N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
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栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
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栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
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连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS003N08C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86152
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3370pF@50V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS08N003C
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@310µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5350pF@40V
连续漏极电流：22A€147A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@56A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
