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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D1N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€83W
阈值电压：2V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D1N04CLTWG
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ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
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输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1917，"MI+"：2792}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS2D4N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€83W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A€138A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€83W
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类型：N沟道
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功率：3.9W€83W
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类型：N沟道
输入电容：2100pF@25V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：2V@90µA
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输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€83W
阈值电压：3.5V@90µA
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栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A€138A
类型：N沟道
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功率：3.9W€83W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：30A€138A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€83W
阈值电压：2V@90µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：29A€132A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@50A，10V
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