采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
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功率：5W€244W
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输入电容：8705pF@30V
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类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
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连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
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功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
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规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：341nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：341nC@10V
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输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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功率：5W€244W
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栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
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功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
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功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
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工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000}
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规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS0D4N04CLTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：341nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20600pF@20V
连续漏极电流：79.8A€553.8A
类型：N沟道
导通电阻：0.4mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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