采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：24000，"MI+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@40V
连续漏极电流：14A€68A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2365，"22+"：2744，"23+"：2291}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：24000，"MI+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10246}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：10246}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86260ET150
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@75V
连续漏极电流：5.4A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@5.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2365，"22+"：2744，"23+"：2291}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@40V
连续漏极电流：14A€68A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86570LET60
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4790pF@30V
连续漏极电流：18A€87A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86340ET80
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@40V
连续漏极电流：14A€68A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86160ET100
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@50V
连续漏极电流：9A€43A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
