品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: