采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS014P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€88W
阈值电压：3V@420µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16900pF@25V
连续漏极电流：10.4A€53A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS014P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€88W
阈值电压：3V@420µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16900pF@25V
连续漏极电流：10.4A€53A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：16900pF@25V
连续漏极电流：10.4A€53A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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阈值电压：3V@420µA
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输入电容：16900pF@25V
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：16900pF@25V
连续漏极电流：10.4A€53A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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