采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2865pF@15V
连续漏极电流：9.5A€20A
类型：P沟道
导通电阻：14.4mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@15V
连续漏极电流：14.8A€18A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@15V
连续漏极电流：14.8A€18A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2865pF@15V
连续漏极电流：9.5A€20A
类型：P沟道
导通电阻：14.4mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2865pF@15V
连续漏极电流：9.5A€20A
类型：P沟道
导通电阻：14.4mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2865pF@15V
连续漏极电流：9.5A€20A
类型：P沟道
导通电阻：14.4mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@15V
连续漏极电流：14.8A€18A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2865pF@15V
连续漏极电流：9.5A€20A
类型：P沟道
导通电阻：14.4mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2865pF@15V
连续漏极电流：9.5A€20A
类型：P沟道
导通电阻：14.4mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
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输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
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输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@15V
连续漏极电流：14.8A€18A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@15V
连续漏极电流：14.8A€18A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2865pF@15V
连续漏极电流：9.5A€20A
类型：P沟道
导通电阻：14.4mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@15V
连续漏极电流：14.8A€18A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7672S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@15V
连续漏极电流：14.8A€18A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86248
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：4V@250mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：525pF@75V
连续漏极电流：3.4A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@3.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
