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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS015N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.4A€27A
类型：N沟道
导通电阻：17.3mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：2V@15µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS052P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：2.4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@20V
连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS6H888NLTAG
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栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NVTFWS052P04M8LTAG
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输入电容：424pF@20V
连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS015N04CTAG
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阈值电压：3.5V@20µA
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栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.4A€27A
类型：N沟道
导通电阻：17.3mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：9.4A€27A
类型：N沟道
导通电阻：17.3mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：258pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
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规格型号(MPN)：NVTFWS052P04M8LTAG
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栅极电荷：6.3nC@10V
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输入电容：424pF@20V
连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS052P04M8LTAG
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@20V
连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：424pF@20V
连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.4A€27A
类型：N沟道
导通电阻：17.3mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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输入电容：424pF@20V
连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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阈值电压：2V@15µA
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输入电容：258pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
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栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.4A€27A
类型：N沟道
导通电阻：17.3mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVTFS6H888NLTAG
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栅极电荷：6nC@10V
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输入电容：258pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS052P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：2.4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@20V
连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.9W€23W
阈值电压：2V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H888NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：2V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：258pF@40V
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS052P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：2.4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@20V
连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS015N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.4A€27A
类型：N沟道
导通电阻：17.3mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS015N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.4A€27A
类型：N沟道
导通电阻：17.3mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS052P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：2.4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@20V
连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS052P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：2.4V@95µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@20V
连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFWS052P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：2.4V@95µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@20V
连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS052P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
阈值电压：2.4V@95µA
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@20V
连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS015N04CTAG
工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@25V
连续漏极电流：9.4A€27A
类型：N沟道
导通电阻：17.3mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€23W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：424pF@20V
连续漏极电流：4.7A€13.2A
类型：P沟道
导通电阻：69mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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