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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：24748}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€54.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1538pF@12V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：24748}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€54.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1538pF@12V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：4265，"08+"：840}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4808N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€54.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1538pF@12V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€54.6W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1538pF@12V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€54.6W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1538pF@12V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4808N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€54.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1538pF@12V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€54.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1538pF@12V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：12486，"08+"：7500，"10+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€54.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1538pF@12V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
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生产批次：{"07+"：12486，"08+"：7500，"10+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€54.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1538pF@12V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：4265，"08+"：840}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4808N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€54.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1538pF@12V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4808N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€54.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1538pF@12V
连续漏极电流：10A€63A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4808N-35G
连续漏极电流：10A€63A
漏源电压：30V
导通电阻：8mΩ@30A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
输入电容：1538pF@12V
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€54.6W
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：管件
包装清单：商品主体 * 1
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