采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L014N120M3P
工作温度：-55℃~175℃
功率：686W
阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：329nC@18V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@800V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：NTH4L014N120M3P
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阈值电压：4.63V@37mA
栅极电荷：329nC@18V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@800V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
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连续漏极电流：127A
类型：N沟道
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
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规格型号(MPN)：NTH4L014N120M3P
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功率：686W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：329nC@18V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@800V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
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规格型号(MPN)：NTH4L014N120M3P
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功率：686W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：329nC@18V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@800V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
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规格型号(MPN)：NTH4L014N120M3P
功率：686W
阈值电压：4.63V@37mA
导通电阻：20mΩ@74A，18V
输入电容：6230pF@800V
类型：N沟道
栅极电荷：329nC@18V
漏源电压：1200V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
连续漏极电流：127A
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规格型号(MPN)：NTH4L014N120M3P
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功率：686W
阈值电压：4.63V@37mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：329nC@18V
包装方式：管件
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类型：N沟道
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栅极电荷：329nC@18V
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工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：329nC@18V
包装方式：管件
输入电容：6230pF@800V
连续漏极电流：127A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：686W
阈值电压：4.63V@37mA
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栅极电荷：329nC@18V
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类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@74A，18V
漏源电压：1200V
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