品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5690,"18+":72000,"19+":360}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@13V
连续漏极电流:23A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":5690,"18+":72000,"19+":360}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDMS7572S
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDMS0312S
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312S
工作温度:-55℃~150℃
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312S
工作温度:-55℃~150℃
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@13V
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类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@13V
连续漏极电流:23A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@13V
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类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
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连续漏极电流:19A€42A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310S
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栅极电荷:46nC@10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312S
工作温度:-55℃~150℃
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1780}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
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类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@18A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@18A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
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连续漏极电流:19A€42A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2820pF@15V
连续漏极电流:19A€42A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@18A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0312S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:19A€42A
类型:N沟道
导通电阻:4.9mΩ@18A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310S
工作温度:-55℃~150℃
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@18A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
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类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7672AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
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类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@13V
连续漏极电流:23A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@13V
连续漏极电流:23A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€46W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2780pF@13V
连续漏极电流:23A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@23A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: