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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：191600，"MI+"：136500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：191600，"MI+"：136500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：11250，"MI+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
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功率：2.51W€23.6W
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规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
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功率：2.51W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
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输入电容：987pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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功率：2.51W€23.6W
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输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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功率：2.51W€23.6W
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：191600，"MI+"：136500}
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€23.6W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
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导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：18.6nC@10V
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C10NBT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.51W€23.6W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：987pF@15V
连续漏极电流：16.4A€46A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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