采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1744，"21+"：853，"22+"：8176，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1744，"21+"：853，"22+"：8176，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1744，"21+"：853，"22+"：8176，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1744，"21+"：853，"22+"：8176，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1744，"21+"：853，"22+"：8176，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1744，"21+"：853，"22+"：8176，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
包装方式：卷带（TR）
功率：4.2W€284W
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：11575pF@30V
栅极电荷：143nC@10V
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
连续漏极电流：51A€422A
ECCN：EAR99
阈值电压：4V@562µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
包装方式：卷带（TR）
功率：4.2W€284W
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：11575pF@30V
栅极电荷：143nC@10V
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
连续漏极电流：51A€422A
ECCN：EAR99
阈值电压：4V@562µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
包装方式：卷带（TR）
功率：4.2W€284W
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：11575pF@30V
栅极电荷：143nC@10V
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
连续漏极电流：51A€422A
阈值电压：4V@562µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS001N06C
包装方式：卷带（TR）
功率：4.2W€284W
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：11575pF@30V
栅极电荷：143nC@10V
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
连续漏极电流：51A€422A
阈值电压：4V@562µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
